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DDTC123JCA-7-F_双极晶体管
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TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

双极晶体管

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3

温度:

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DDTC123JCA-7-F_双极晶体管
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TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

双极晶体管

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3

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TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

双极晶体管

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库存: 1000 +

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品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3

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包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

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电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3

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晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms

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不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

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电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3

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包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

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晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

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电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

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功率 - 最大值: 200 mW

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电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

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电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

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功率 - 最大值: 200 mW

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晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

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电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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DDTC123JCA-7-F参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250 MHz
功率 - 最大值: 200 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
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