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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTD513ZMGT2L_双极晶体管
授权代理品牌

DIGITAL TRANSISTOR (500MA/12V),

双极晶体管

+8000:

¥0.545856

+16000:

¥0.483452

+24000:

¥0.477217

+56000:

¥0.405489

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V

电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 140 100mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 260 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTD513ZMGT2L_双极晶体管
授权代理品牌

DIGITAL TRANSISTOR (500MA/12V),

双极晶体管

+8000:

¥1.335309

+16000:

¥1.18265

+24000:

¥1.167399

+56000:

¥0.991933

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V

电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 140 100mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 260 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度:

DTD513ZMGT2L_双极晶体管
授权代理品牌

DIGITAL TRANSISTOR (500MA/12V),

双极晶体管

+1:

¥6.129193

+10:

¥4.390213

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

DTD513ZMGT2L_双极晶体管
授权代理品牌

DIGITAL TRANSISTOR (500MA/12V),

双极晶体管

+1:

¥6.129193

+10:

¥4.390213

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTD513ZMGT2L_晶体管
DTD513ZMGT2L
授权代理品牌

DIGITAL TRANSISTOR (500MA/12V),

晶体管

+1:

¥7.006557

+10:

¥5.018651

+100:

¥4.986062

+1000:

¥2.623386

+2500:

¥1.58055

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V

电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 140 100mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 260 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度:

DTD513ZMGT2L参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V
电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 140 100mA,2V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 260 MHz
功率 - 最大值: 150 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-723
供应商器件封装: VMT3
温度: