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| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
![]() | DZT751-13 授权代理品牌 | +: ¥ +: ¥ +: ¥ +: ¥ +: ¥ |
DZT751-13参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Diodes Incorporated |
| 包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 停产 |
| 晶体管类型: | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 3 A |
| 电压 - 集射极击穿(最大值): | 60 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): | 600mV 300mA,3A |
| 电流 - 集电极截止(最大值): | 100nA(ICBO) |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 100 500mA,2V |
| 功率 - 最大值: | 1 W |
| 频率 - 跃迁: | 145MHz |
| 工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | TO-261-4,TO-261AA |
| 供应商器件封装: | SOT-223-3 |
| 温度: | -55°C # 150°C(TJ) |



