品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 15 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 150 100mA，2V

功率 - 最大值： 250 mW

频率 - 跃迁： 340MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 3-UFDFN

供应商器件封装： X1-DFN1006-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 15 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 150 100mA，2V

功率 - 最大值： 250 mW

频率 - 跃迁： 340MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 3-UFDFN

供应商器件封装： X1-DFN1006-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 15 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 150 100mA，2V

功率 - 最大值： 250 mW

频率 - 跃迁： 340MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 3-UFDFN

供应商器件封装： X1-DFN1006-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 3-UFDFN

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 250mV @ 50mA, 500mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 150 @ 100mA, 2V

Frequency - Transition： 340MHz

Supplier Device Package： X1-DFN1006-3

Current - Collector (Ic) (Max)： 500 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 15 V

Power - Max： 250 mW

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： 3-UFDFN

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 250mV @ 50mA, 500mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 150 @ 100mA, 2V

Frequency - Transition： 340MHz

Supplier Device Package： X1-DFN1006-3

Current - Collector (Ic) (Max)： 500 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 15 V

Power - Max： 250 mW

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： 3-UFDFN

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 250mV @ 50mA, 500mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 150 @ 100mA, 2V

Frequency - Transition： 340MHz

Supplier Device Package： X1-DFN1006-3

Current - Collector (Ic) (Max)： 500 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 15 V

Power - Max： 250 mW

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 15 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 150 100mA，2V

功率 - 最大值： 250 mW

频率 - 跃迁： 340MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 3-UFDFN

供应商器件封装： X1-DFN1006-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）