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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DSS4160TQ-7_双极性晶体管
DSS4160TQ-7
授权代理品牌

TRANS NPN 60V LOW SAT SOT23

双极性晶体管

+10:

¥1.575783

+200:

¥1.065526

+800:

¥0.782265

+3000:

¥0.567248

+6000:

¥0.538934

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 280mV 100mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 500mA,5V

功率 - 最大值: 725 mW

频率 - 跃迁: 150MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DSS4160TQ-7_双极性晶体管
DSS4160TQ-7
授权代理品牌

TRANS NPN 60V LOW SAT SOT23

双极性晶体管

+5:

¥1.26082

+50:

¥1.050764

+150:

¥0.840587

+500:

¥0.700469

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 280mV 100mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 500mA,5V

功率 - 最大值: 725 mW

频率 - 跃迁: 150MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DSS4160TQ-7_双极性晶体管
DSS4160TQ-7
授权代理品牌

TRANS NPN 60V LOW SAT SOT23

双极性晶体管

+5:

¥1.015471

+50:

¥0.794085

+150:

¥0.699127

+500:

¥0.580784

+3000:

¥0.501671

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 280mV 100mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 500mA,5V

功率 - 最大值: 725 mW

频率 - 跃迁: 150MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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DSS4160TQ-7_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 60V LOW SAT SOT23

双极性晶体管

+3000:

¥0.585638

+6000:

¥0.553146

+15000:

¥0.504323

+30000:

¥0.471776

+75000:

¥0.460424

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 280mV 100mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 500mA,5V

功率 - 最大值: 725 mW

频率 - 跃迁: 150MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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DSS4160TQ-7_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 60V LOW SAT SOT23

双极性晶体管

+3000:

¥1.432625

+6000:

¥1.353142

+15000:

¥1.233709

+30000:

¥1.154088

+75000:

¥1.126319

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 280mV 100mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 500mA,5V

功率 - 最大值: 725 mW

频率 - 跃迁: 150MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DSS4160TQ-7_双极性晶体管
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TRANS NPN 60V LOW SAT SOT23

双极性晶体管

+1:

¥6.517073

+10:

¥4.859469

+100:

¥3.024772

+500:

¥2.069314

+1000:

¥1.591867

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23

DSS4160TQ-7_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 60V LOW SAT SOT23

双极性晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23

Mouser
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DSS4160TQ-7_未分类
DSS4160TQ-7
授权代理品牌

TRANS NPN 60V LOW SAT SOT23

未分类

+1:

¥7.130644

+10:

¥4.411051

+100:

¥2.155776

+1000:

¥1.923616

+3000:

¥1.343216

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 280mV 100mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 500mA,5V

功率 - 最大值: 725 mW

频率 - 跃迁: 150MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DSS4160TQ-7参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 280mV 100mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 500mA,5V
功率 - 最大值: 725 mW
频率 - 跃迁: 150MHz
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)