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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DP0150BLP4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 50V 0.1A 3DFN 下载数据手册双极性晶体管	+10：￥1.337292 +200：￥0.903991 +800：￥0.662717 +3000：￥0.482548 +6000：￥0.458227	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 2mA，6V 功率 - 最大值： 450 mW 频率 - 跃迁： 80MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 3-XFDFN 供应商器件封装： X2-DFN1006-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DP0150BLP4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 50V 0.1A 3DFN 下载数据手册双极性晶体管	+5：￥0.776382 +50：￥0.6234 +150：￥0.546909 +500：￥0.489541	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 2mA，6V 功率 - 最大值： 450 mW 频率 - 跃迁： 80MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 3-XFDFN 供应商器件封装： X2-DFN1006-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DP0150BLP4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 50V 0.1A 3DFN 下载数据手册未分类	+1：￥1.561909 +30：￥0.513926 +100：￥0.422756 +500：￥0.402625 +1500：￥0.390926	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 2mA，6V 功率 - 最大值： 450 mW 频率 - 跃迁： 80MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 3-XFDFN 供应商器件封装： X2-DFN1006-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DP0150BLP4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 50V 0.1A 3DFN 下载数据手册双极性晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 2mA，6V 功率 - 最大值： 450 mW 频率 - 跃迁： 80MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 3-XFDFN 供应商器件封装： X2-DFN1006-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DP0150BLP4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 50V 0.1A 3DFN 下载数据手册双极性晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 2mA，6V 功率 - 最大值： 450 mW 频率 - 跃迁： 80MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 3-XFDFN 供应商器件封装： X2-DFN1006-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DP0150BLP4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 50V 0.1A 3DFN 下载数据手册双极性晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-XFDFN 供应商器件封装： X2-DFN1006-3
	DP0150BLP4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 50V 0.1A 3DFN 下载数据手册双极性晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-XFDFN 供应商器件封装： X2-DFN1006-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DP0150BLP4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 50V 0.1A 3DFN 下载数据手册未分类	+1：￥6.010565 +10：￥5.136301 +100：￥3.838565 +500：￥3.018943 +1000：￥2.335923	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 2mA，6V 功率 - 最大值： 450 mW 频率 - 跃迁： 80MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 3-XFDFN 供应商器件封装： X2-DFN1006-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DP0150BLP4-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	200 2mA，6V
功率 - 最大值:	450 mW
频率 - 跃迁:	80MHz
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	3-XFDFN
供应商器件封装:	X2-DFN1006-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）