品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Digi-Key 停止提供

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 50 V

不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-213AB，MELF（玻璃）

供应商器件封装： MELF

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Digi-Key 停止提供

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 50 V

不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-213AB，MELF（玻璃）

供应商器件封装： MELF

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Digi-Key 停止提供

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 50 V

不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-213AB，MELF（玻璃）

供应商器件封装： MELF

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

包装： Cut Tape (CT)

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度-结： -55°C # 150°C

封装/外壳： DO-213AB, MELF

供应商器件封装： MELF

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Digi-Key 停止提供

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 50 V

不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-213AB，MELF（玻璃）

供应商器件封装： MELF

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：