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搜索 DD1200S17H4B2BOSA26 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DD1200S17H4B2BOSA2_二极管阵列整流器
DD1200S17H4B2BOSA2
授权代理品牌
+1:

¥7396.745554

+200:

¥6947.02283

+500:

¥6714.872979

+1000:

¥6600.169425

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管配置: 2 个独立式

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1700 V

电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): -

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.1 V 1200 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1250 A 900 V

工作温度 - 结: -40°C # 150°C

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: AG-IHMB130-1

温度:

自营 国内现货
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DD1200S17H4B2BOSA2_二极管阵列整流器
授权代理品牌
+2:

¥5405.062163

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管配置: 2 个独立式

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1700 V

电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): -

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.1 V 1200 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1250 A 900 V

工作温度 - 结: -40°C # 150°C

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: AG-IHMB130-1

温度:

Digi-Key
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DD1200S17H4B2BOSA2_二极管阵列整流器
授权代理品牌
+2:

¥13222.214231

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管配置: 2 个独立式

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1700 V

电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): -

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.1 V 1200 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1250 A 900 V

工作温度 - 结: -40°C # 150°C

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: AG-IHMB130-1

温度:

DD1200S17H4B2BOSA2_未分类
DD1200S17H4B2BOSA2
授权代理品牌

DIODE MOD GP 1700V AGIHMB130-1

未分类

+1:

¥13835.167885

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tray

Package / Case: Module

Mounting Type: Chassis Mount

Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Technology: Standard

Diode Configuration: 2 Independent

Current - Average Rectified (Io) (per Diode): -

Supplier Device Package: AG-IHMB130-1

Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 1200 A

Mouser
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DD1200S17H4B2BOSA2_二极管阵列整流器
DD1200S17H4B2BOSA2
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管配置: 2 个独立式

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1700 V

电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): -

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.1 V 1200 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1250 A 900 V

工作温度 - 结: -40°C # 150°C

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: AG-IHMB130-1

温度:

艾睿
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DD1200S17H4B2BOSA2_未分类
DD1200S17H4B2BOSA2
授权代理品牌

Diode 1.7KV 1.2KA 4-Pin IHMB130-1 Tray

未分类

+2:

¥13756.156408

+5:

¥13652.145954

+10:

¥13547.51639

+25:

¥13442.577271

+50:

¥13437.16006

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

DD1200S17H4B2BOSA2参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 托盘
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管配置: 2 个独立式
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1700 V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): -
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.1 V 1200 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): -
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1250 A 900 V
工作温度 - 结: -40°C # 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: AG-IHMB130-1
温度: