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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3016LDN-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN 下载数据手册未分类	+1：￥1.825838 +10：￥1.60904 +30：￥1.516159 +100：￥1.40022 +500：￥1.348535	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20mOhm 11A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.1nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1415pF 15V 功率 - 最大值： 1.1W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： V-DFN3030-8 (Type J) 温度： -55°C # 150°C (TJ)

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	DMN3016LDN-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.625514	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20mOhm 11A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.1nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1415pF 15V 功率 - 最大值： 1.1W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： V-DFN3030-8 (Type J) 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3016LDN-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.343291	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20mOhm 11A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.1nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1415pF 15V 功率 - 最大值： 1.1W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： V-DFN3030-8 (Type J) 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3016LDN-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥2.321203	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20mOhm 11A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.1nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1415pF 15V 功率 - 最大值： 1.1W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： V-DFN3030-8 (Type J) 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	DMN3016LDN-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥2.298221	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： V-DFN3030-8 (Type J)
	DMN3016LDN-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.548693 +10：￥5.560211 +25：￥5.18953 +100：￥3.855079 +250：￥3.662326	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： V-DFN3030-8 (Type J)
	DMN3016LDN-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： V-DFN3030-8 (Type J)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3016LDN-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN 下载数据手册未分类	+1：￥7.75512 +10：￥6.748314 +100：￥5.047631 +500：￥3.972799 +1000：￥3.061231	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20mOhm 11A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.1nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1415pF 15V 功率 - 最大值： 1.1W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： V-DFN3030-8 (Type J) 温度： -55°C # 150°C (TJ)

DMN3016LDN-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	2 N-Channel (Dual)
FET 功能:	Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	20mOhm 11A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	25.1nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1415pF 15V
功率 - 最大值:	1.1W
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	8-PowerWDFN
供应商器件封装:	V-DFN3030-8 (Type J)
温度:	-55°C # 150°C (TJ)