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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3061SVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+10：￥3.955104 +100：￥3.221712 +200：￥2.58408 +500：￥2.307168 +800：￥2.141424	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.6nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 278pF 15V 功率 - 最大值： 1.08W（Ta）工作温度： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23-6 温度： -

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3061SVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.582682	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.6nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 278pF 15V 功率 - 最大值： 1.08W（Ta）工作温度： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23-6 温度： -

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3061SVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.6nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 278pF 15V 功率 - 最大值： 1.08W（Ta）工作温度： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23-6 温度： -

DMN3061SVT-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.4A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6.6nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	278pF 15V
功率 - 最大值:	1.08W（Ta）
工作温度:	-
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装:	TSOT-23-6
温度:	-