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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMN5L06VKQ-7_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2 N-CH 50V 280MA SOT563

射频晶体管

+3000:

¥1.525598

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 280mA(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 欧姆 50mA,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50pF 25V

功率 - 最大值: 250mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMN5L06VKQ-7_晶体管
DMN5L06VKQ-7
授权代理品牌

MOSFET 2 N-CH 50V 280MA SOT563

晶体管

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¥5.913712

+100:

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+1000:

¥2.276937

+3000:

¥2.087193

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 280mA(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 欧姆 50mA,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50pF 25V

功率 - 最大值: 250mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DMN5L06VKQ-7参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 280mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 欧姆 50mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50pF 25V
功率 - 最大值: 250mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: SOT-563
温度: -55°C # 150°C(TJ)