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| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN3032LFDB-13 授权代理品牌 | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6 | +10000: ¥2.17236 |
DMN3032LFDB-13参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Diodes Incorporated |
| 包装: | 卷带(TR) |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道(双) |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6.2A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 30 毫欧 5.8A,10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 10.6nC 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 500pF 15V |
| 功率 - 最大值: | 1W |
| 工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装: | U-DFN2020-6(B 类) |
| 温度: | -55°C # 150°C(TJ) |

