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自营 国内现货
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DMN3032LFDB-13_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

射频晶体管

+10000:

¥0.858961

+30000:

¥0.814408

+50000:

¥0.795335

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 30 毫欧 5.8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10.6nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 500pF 15V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: U-DFN2020-6(B 类)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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DMN3032LFDB-13_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

射频晶体管

+10000:

¥1.484282

+30000:

¥1.407295

+50000:

¥1.374336

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 30 毫欧 5.8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10.6nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 500pF 15V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: U-DFN2020-6(B 类)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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DMN3032LFDB-13_未分类
DMN3032LFDB-13
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

未分类

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¥2.103387

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 30 毫欧 5.8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10.6nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 500pF 15V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: U-DFN2020-6(B 类)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DMN3032LFDB-13参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 30 毫欧 5.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10.6nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 500pF 15V
功率 - 最大值: 1W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: U-DFN2020-6(B 类)
温度: -55°C # 150°C(TJ)