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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMC25D0UVT-13_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26

射频晶体管

+10000:

¥1.460112

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 25V,30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 400mA,3.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4 欧姆 400mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7nC 8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 26.2pF 10V

功率 - 最大值: 1.2W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: TSOT-23-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMC25D0UVT-13_晶体管
DMC25D0UVT-13
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26

晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 25V,30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 400mA,3.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4 欧姆 400mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7nC 8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 26.2pF 10V

功率 - 最大值: 1.2W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: TSOT-23-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DMC25D0UVT-13参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 25V,30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 400mA,3.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4 欧姆 400mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7nC 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 26.2pF 10V
功率 - 最大值: 1.2W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装: TSOT-23-6
温度: -55°C # 150°C(TJ)