DMC2053UVT-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 DMC2053UVT-7 共 11 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2053UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 下载数据手册射频晶体管	+10：￥1.72788 +200：￥1.29228 +800：￥1.00188 +3000：￥0.726 +6000：￥0.6897	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta），3.2A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 5A，4.5V，74 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.6nC 4.5V，5.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 369pF 10V，440pF 10V 功率 - 最大值： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC2053UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 下载数据手册射频晶体管	+5：￥2.457389 +50：￥2.047925 +150：￥1.63834 +500：￥1.365243	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta），3.2A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 5A，4.5V，74 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.6nC 4.5V，5.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 369pF 10V，440pF 10V 功率 - 最大值： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2053UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 下载数据手册射频晶体管	+5：￥1.202479 +50：￥0.959966 +150：￥0.856092	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta），3.2A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 5A，4.5V，74 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.6nC 4.5V，5.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 369pF 10V，440pF 10V 功率 - 最大值： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2053UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.225004	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta），3.2A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 5A，4.5V，74 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.6nC 4.5V，5.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 369pF 10V，440pF 10V 功率 - 最大值： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2053UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 下载数据手册未分类	+200：￥1.250814	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta），3.2A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 5A，4.5V，74 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.6nC 4.5V，5.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 369pF 10V，440pF 10V 功率 - 最大值： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2053UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.766274	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta），3.2A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 5A，4.5V，74 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.6nC 4.5V，5.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 369pF 10V，440pF 10V 功率 - 最大值： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2053UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.874508	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta），3.2A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 5A，4.5V，74 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.6nC 4.5V，5.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 369pF 10V，440pF 10V 功率 - 最大值： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC2053UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 4.6A TSOT26 下载数据手册未分类	+3000：￥1.64636 +6000：￥1.577922 +9000：￥1.420187 +30000：￥1.399184 +75000：￥1.31503	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type： Surface Mount Configuration： N and P-Channel Complementary Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) Power - Max： 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss)： 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4.6A (Ta), 3.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 369pF @ 10V, 440pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V FET Feature： - Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA Supplier Device Package： TSOT-26
	DMC2053UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 4.6A TSOT26 下载数据手册未分类	+1：￥6.143663 +10：￥4.729192 +100：￥2.840373 +500：￥2.630061 +1000：￥1.788378	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type： Surface Mount Configuration： N and P-Channel Complementary Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) Power - Max： 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss)： 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4.6A (Ta), 3.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 369pF @ 10V, 440pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V FET Feature： - Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA Supplier Device Package： TSOT-26
	DMC2053UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 4.6A TSOT26 下载数据手册未分类	+1：￥6.143663 +10：￥4.729192 +100：￥2.840373 +500：￥2.630061 +1000：￥1.788378	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type： Surface Mount Configuration： N and P-Channel Complementary Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) Power - Max： 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss)： 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4.6A (Ta), 3.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 369pF @ 10V, 440pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V FET Feature： - Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA Supplier Device Package： TSOT-26

DMC2053UVT-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道互补型
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.6A（Ta），3.2A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	35 毫欧 5A，4.5V，74 毫欧 3.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.6nC 4.5V，5.9nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	369pF 10V，440pF 10V
功率 - 最大值:	700mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装:	TSOT-23
温度:	-55°C # 150°C（TJ）