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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2004DWKQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 540mA（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.95nC 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150pF 16V 功率 - 最大值： 200mW 工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -65°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2004DWKQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.667972 +6000：￥0.640266 +9000：￥0.576204 +30000：￥0.567671 +75000：￥0.533536	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 540mA（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.95nC 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150pF 16V 功率 - 最大值： 200mW 工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -65°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2004DWKQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.634037 +6000：￥1.56626 +9000：￥1.409549 +30000：￥1.388674 +75000：￥1.305169	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 540mA（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.95nC 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150pF 16V 功率 - 最大值： 200mW 工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -65°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2004DWKQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363 下载数据手册晶体管	+1：￥6.865019 +10：￥5.590088 +100：￥3.808451 +1000：￥2.141233 +3000：￥1.961434	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 540mA（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.95nC 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150pF 16V 功率 - 最大值： 200mW 工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -65°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2004DWKQ-7 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥1.466967	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMN2004DWKQ-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	540mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	550 毫欧 540mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.95nC 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	150pF 16V
功率 - 最大值:	200mW
工作温度:	-65°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装:	SOT-363
温度:	-65°C # 150°C（TJ）