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DMN2004DWKQ-7_射频晶体管
DMN2004DWKQ-7
授权代理品牌

MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 540mA(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 550 毫欧 540mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.95nC 8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 150pF 16V

功率 - 最大值: 200mW

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SOT-363

温度: -65°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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DMN2004DWKQ-7_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363

射频晶体管

+3000:

¥0.824713

+6000:

¥0.790506

+9000:

¥0.711412

+30000:

¥0.700876

+75000:

¥0.658731

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 540mA(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 550 毫欧 540mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.95nC 8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 150pF 16V

功率 - 最大值: 200mW

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SOT-363

温度: -65°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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DMN2004DWKQ-7_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363

射频晶体管

+3000:

¥1.425102

+6000:

¥1.365991

+9000:

¥1.229317

+30000:

¥1.211112

+75000:

¥1.138285

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 540mA(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 550 毫欧 540mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.95nC 8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 150pF 16V

功率 - 最大值: 200mW

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SOT-363

温度: -65°C # 150°C(TJ)

Mouser
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DMN2004DWKQ-7_晶体管
DMN2004DWKQ-7
授权代理品牌

MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363

晶体管

+1:

¥6.659062

+10:

¥5.422379

+100:

¥3.694193

+1000:

¥2.076993

+3000:

¥1.902589

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 540mA(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 550 毫欧 540mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.95nC 8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 150pF 16V

功率 - 最大值: 200mW

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SOT-363

温度: -65°C # 150°C(TJ)

艾睿
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DMN2004DWKQ-7_未分类
DMN2004DWKQ-7
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R

未分类

+3000:

¥1.489911

库存: 0

货期:7~10 天

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DMN2004DWKQ-7参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 540mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 550 毫欧 540mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.95nC 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 150pF 16V
功率 - 最大值: 200mW
工作温度: -65°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: SOT-363
温度: -65°C # 150°C(TJ)