锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 DMC2700UDMQ-73 条相关记录
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMC2700UDMQ-7_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 8V24V SOT26 T&R 3

射频晶体管

+3000:

¥0.879579

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道互补型

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.34A(Ta),1.14A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 400 毫欧 600mA,4.5V,700 毫欧 430mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.74nC 4.5V,0.62nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 60.67pF 16V,59.76pF 16V

功率 - 最大值: 1.12W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6

供应商器件封装: SOT-26

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMC2700UDMQ-7_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 8V24V SOT26 T&R 3

射频晶体管

+3000:

¥1.519909

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道互补型

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.34A(Ta),1.14A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 400 毫欧 600mA,4.5V,700 毫欧 430mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.74nC 4.5V,0.62nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 60.67pF 16V,59.76pF 16V

功率 - 最大值: 1.12W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6

供应商器件封装: SOT-26

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMC2700UDMQ-7_未分类
DMC2700UDMQ-7
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 8V24V SOT26 T&R 3

未分类

+1:

¥5.714298

+10:

¥4.639466

+100:

¥3.15647

+500:

¥2.367352

+1000:

¥1.782317

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道互补型

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.34A(Ta),1.14A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 400 毫欧 600mA,4.5V,700 毫欧 430mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.74nC 4.5V,0.62nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 60.67pF 16V,59.76pF 16V

功率 - 最大值: 1.12W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6

供应商器件封装: SOT-26

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DMC2700UDMQ-7参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道互补型
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.34A(Ta),1.14A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 400 毫欧 600mA,4.5V,700 毫欧 430mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.74nC 4.5V,0.62nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 60.67pF 16V,59.76pF 16V
功率 - 最大值: 1.12W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6
供应商器件封装: SOT-26
温度: -55°C # 150°C(TJ)