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	DMP1046UFDB-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 61 毫欧 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.9nC 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 915pF 6V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMP1046UFDB-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN 下载数据手册射频晶体管	+10000：￥0.766389	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 61 毫欧 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.9nC 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 915pF 6V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP1046UFDB-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN 下载数据手册射频晶体管	+10000：￥1.324318	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 61 毫欧 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.9nC 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 915pF 6V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP1046UFDB-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN 下载数据手册未分类	+10000：￥1.401119 +30000：￥1.380343 +50000：￥1.297246	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type： Surface Mount Configuration： 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) Power - Max： 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss)： 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 915pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 61mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 17.9nC @ 8V FET Feature： - Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA Supplier Device Package： U-DFN2020-6 (Type B)
	DMP1046UFDB-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN 下载数据手册未分类	+1：￥5.971206 +10：￥4.665004 +100：￥2.802734 +500：￥2.59449 +1000：￥1.764242	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type： Surface Mount Configuration： 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) Power - Max： 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss)： 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 915pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 61mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 17.9nC @ 8V FET Feature： - Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA Supplier Device Package： U-DFN2020-6 (Type B)
	DMP1046UFDB-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN 下载数据手册未分类	+1：￥5.971206 +10：￥4.665004 +100：￥2.802734 +500：￥2.59449 +1000：￥1.764242	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type： Surface Mount Configuration： 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) Power - Max： 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss)： 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 915pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 61mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 17.9nC @ 8V FET Feature： - Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA Supplier Device Package： U-DFN2020-6 (Type B)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP1046UFDB-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN 下载数据手册未分类	+1：￥7.598227 +10：￥5.936116 +100：￥3.181758 +1000：￥2.073683 +2500：￥1.994535	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 61 毫欧 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.9nC 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 915pF 6V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMP1046UFDB-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	61 毫欧 3.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17.9nC 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	915pF 6V
功率 - 最大值:	1.4W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:	U-DFN2020-6（B 类）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）