锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 DMN3061SVT-132 条相关记录
Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMN3061SVT-13_射频晶体管
授权代理品牌
+10000:

¥1.310726

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.4A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 60 毫欧 3.1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.8V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.6nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 278pF 15V

功率 - 最大值: 880mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: TSOT-23

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMN3061SVT-13_晶体管
DMN3061SVT-13
授权代理品牌

MOSFET 25V~30V TSOT26

晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.4A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 60 毫欧 3.1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.8V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.6nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 278pF 15V

功率 - 最大值: 880mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: TSOT-23

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DMN3061SVT-13参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.4A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 60 毫欧 3.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.8V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.6nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 278pF 15V
功率 - 最大值: 880mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装: TSOT-23
温度: -55°C # 150°C(TJ)