品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 和 P 沟道互补型

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta），2.7A（Ta）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 3.1A，10V，95 毫欧 2.7A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA，2.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.6nC 10V，6.8nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 278pF 15V，287pF 15V

功率 - 最大值： 880mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： TSOT-23-6

温度： -55°C # 150°C（TJ）