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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3730UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.752017	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 680mA（Ta），460mA（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 500mA，4.5V，1.1 欧姆 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.64nC 4.5V，1.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V，63pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3730UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.299484	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 680mA（Ta），460mA（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 500mA，4.5V，1.1 欧姆 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.64nC 4.5V，1.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V，63pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3730UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 680mA（Ta），460mA（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 500mA，4.5V，1.1 欧姆 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.64nC 4.5V，1.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V，63pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 175°C（TJ）

DMC3730UVT-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道互补型
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	680mA（Ta），460mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	450 毫欧 500mA，4.5V，1.1 欧姆 500mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1.64nC 4.5V，1.1nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	50pF 10V，63pF 10V
功率 - 最大值:	700mW
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装:	TSOT-23
温度:	-55°C # 175°C（TJ）