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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2057UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 下载数据手册射频晶体管	+10：￥1.967581 +200：￥1.330516 +800：￥0.978406 +3000：￥0.709423 +6000：￥0.673849	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta），3.3A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 5A，4.5V，70 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA，1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5nC 10V，6.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 416pF 10V，536pF 10V 功率 - 最大值： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2057UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 下载数据手册射频晶体管	+5：￥0.619904 +50：￥0.605152 +150：￥0.595317	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta），3.3A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 5A，4.5V，70 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA，1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5nC 10V，6.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 416pF 10V，536pF 10V 功率 - 最大值： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2057UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.01871 +200：￥0.701636 +1500：￥0.639241 +3000：￥0.597219 +45000：￥0.593399	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta），3.3A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 5A，4.5V，70 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA，1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5nC 10V，6.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 416pF 10V，536pF 10V 功率 - 最大值： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2057UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 下载数据手册射频晶体管	+60：￥1.52064 +200：￥1.047341 +1500：￥0.954202	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta），3.3A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 5A，4.5V，70 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA，1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5nC 10V，6.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 416pF 10V，536pF 10V 功率 - 最大值： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2057UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.603299 +6000：￥0.578261 +9000：￥0.5204 +30000：￥0.512673 +75000：￥0.481883	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta），3.3A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 5A，4.5V，70 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA，1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5nC 10V，6.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 416pF 10V，536pF 10V 功率 - 最大值： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2057UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.475828 +6000：￥1.414578 +9000：￥1.273034 +30000：￥1.254133 +75000：￥1.178814	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta），3.3A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 5A，4.5V，70 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA，1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5nC 10V，6.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 416pF 10V，536pF 10V 功率 - 最大值： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2057UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 下载数据手册未分类	+1：￥6.467328 +10：￥5.173863 +100：￥3.532156 +500：￥2.570349 +1000：￥2.023114	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta），3.3A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 5A，4.5V，70 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA，1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5nC 10V，6.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 416pF 10V，536pF 10V 功率 - 最大值： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2057UVT-7 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.3A 6-Pin TSOT-26 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥1.304776 +6000：￥1.264533 +9000：￥1.25215 +12000：￥1.239769 +15000：￥1.227386	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2057UVT-7 DIODES(美台) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, 双路, N/P沟道, 20V, 4A 下载数据手册未分类	+5：￥4.206447 +10：￥3.494384 +100：￥2.57134 +500：￥2.096631 +1000：￥1.608738	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2057UVT-7 DIODES(美台) 授权代理品牌	MOSFET, DUAL, N/P-CH, 20V, 4A 下载数据手册未分类	+5：￥3.940732 +10：￥3.165505 +100：￥2.170632 +500：￥1.640896 +1000：￥1.090483	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMC2057UVT-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道互补型
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4A（Ta），3.3A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	42 毫欧 5A，4.5V，70 毫欧 3.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.2V 250µA，1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10.5nC 10V，6.5nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	416pF 10V，536pF 10V
功率 - 最大值:	700mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装:	TSOT-23
温度:	-55°C # 150°C（TJ）