锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 DMC67D8UFDBQ-132 条相关记录
Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMC67D8UFDBQ-13_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-

射频晶体管

+10000:

¥1.243386

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道互补型

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 60V,20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 390mA(Ta),2.9A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4Ohm 500mA,10V,72mOhm 3.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA,1.25V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.4pC 4.5V,7.3nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 41pF 25V,443pF 16V

功率 - 最大值: 580mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: U-DFN2020-6(B 类)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMC67D8UFDBQ-13_晶体管
DMC67D8UFDBQ-13
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-

晶体管

+10000:

¥1.661421

+20000:

¥1.645599

+50000:

¥1.534836

+100000:

¥1.519014

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道互补型

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 60V,20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 390mA(Ta),2.9A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4Ohm 500mA,10V,72mOhm 3.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA,1.25V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.4pC 4.5V,7.3nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 41pF 25V,443pF 16V

功率 - 最大值: 580mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: U-DFN2020-6(B 类)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DMC67D8UFDBQ-13参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道互补型
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 60V,20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 390mA(Ta),2.9A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4Ohm 500mA,10V,72mOhm 3.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA,1.25V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.4pC 4.5V,7.3nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 41pF 25V,443pF 16V
功率 - 最大值: 580mW(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: U-DFN2020-6(B 类)
温度: -55°C # 150°C(TJ)