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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMC2025UFDB-13_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6

射频晶体管

+10000:

¥1.489889

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道互补型

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Ta),3.5A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25 毫欧 4A,4.5V,75 毫欧 2.9A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA,1.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12.3nC 10V,15nC 8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 486pF 10V,642pF 10V

功率 - 最大值: 700mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: U-DFN2020-6(B 类)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMC2025UFDB-13_晶体管
DMC2025UFDB-13
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6

晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道互补型

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Ta),3.5A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25 毫欧 4A,4.5V,75 毫欧 2.9A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA,1.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12.3nC 10V,15nC 8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 486pF 10V,642pF 10V

功率 - 最大值: 700mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: U-DFN2020-6(B 类)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DMC2025UFDB-13参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道互补型
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Ta),3.5A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25 毫欧 4A,4.5V,75 毫欧 2.9A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA,1.4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12.3nC 10V,15nC 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 486pF 10V,642pF 10V
功率 - 最大值: 700mW(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: U-DFN2020-6(B 类)
温度: -55°C # 150°C(TJ)