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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMC2710UV-7_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563

射频晶体管

+3000:

¥1.176294

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道互补型

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.1A(Ta),800mA(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 400 毫欧 600mA,4.5V,700 毫欧 430mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 600pC 4.5V,700pC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 42pF 16V,49pF 16V

功率 - 最大值: 460mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMC2710UV-7_晶体管
DMC2710UV-7
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道互补型

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.1A(Ta),800mA(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 400 毫欧 600mA,4.5V,700 毫欧 430mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 600pC 4.5V,700pC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 42pF 16V,49pF 16V

功率 - 最大值: 460mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DMC2710UV-7参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道互补型
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.1A(Ta),800mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 400 毫欧 600mA,4.5V,700 毫欧 430mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 600pC 4.5V,700pC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 42pF 16V,49pF 16V
功率 - 最大值: 460mW(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: SOT-563
温度: -55°C # 150°C(TJ)