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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3071LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 下载数据手册射频晶体管	+10：￥12.076416 +100：￥8.622576 +200：￥6.593328 +500：￥5.598288 +800：￥5.03568	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta），3.3A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 3.5A，10V，95 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5nC 10V，6.5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 15V，254pF 15V 功率 - 最大值： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3071LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 下载数据手册射频晶体管	+5：￥0.855277 +50：￥0.740214 +150：￥0.690931 +500：￥0.62941	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta），3.3A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 3.5A，10V，95 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5nC 10V，6.5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 15V，254pF 15V 功率 - 最大值： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3071LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.031444 +200：￥0.710551 +1500：￥0.645607 +3000：￥0.604859 +45000：￥0.599765	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta），3.3A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 3.5A，10V，95 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5nC 10V，6.5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 15V，254pF 15V 功率 - 最大值： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC3071LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.701173 +9000：￥0.683462 +30000：￥0.67177	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta），3.3A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 3.5A，10V，95 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5nC 10V，6.5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 15V，254pF 15V 功率 - 最大值： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC3071LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥4.132721	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta），3.3A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 3.5A，10V，95 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5nC 10V，6.5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 15V，254pF 15V 功率 - 最大值： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3071LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.539648 +200：￥1.060646 +1500：￥0.963706	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta），3.3A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 3.5A，10V，95 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5nC 10V，6.5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 15V，254pF 15V 功率 - 最大值： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3071LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.776227	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta），3.3A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 3.5A，10V，95 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5nC 10V，6.5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 15V，254pF 15V 功率 - 最大值： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3071LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.341318	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta），3.3A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 3.5A，10V，95 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5nC 10V，6.5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 15V，254pF 15V 功率 - 最大值： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC3071LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26 下载数据手册未分类	+3000：￥1.277957 +6000：￥1.224919 +9000：￥1.102404 +30000：￥1.086084 +75000：￥1.020808	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type： Surface Mount Configuration： N and P-Channel Complementary Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) Power - Max： 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss)： 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4.6A (Ta), 3.3A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 190pF @ 15V, 254pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 50mOhm @ 3.5A, 10V, 95mOhm @ 3.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 4.5nC @ 10V, 6.5nC @ 10V FET Feature： - Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA Supplier Device Package： TSOT-26
	DMC3071LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26 下载数据手册未分类	+1：￥4.697916 +10：￥3.671792 +100：￥2.204311 +500：￥2.041615 +1000：￥1.388236	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type： Surface Mount Configuration： N and P-Channel Complementary Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) Power - Max： 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss)： 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4.6A (Ta), 3.3A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 190pF @ 15V, 254pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 50mOhm @ 3.5A, 10V, 95mOhm @ 3.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 4.5nC @ 10V, 6.5nC @ 10V FET Feature： - Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA Supplier Device Package： TSOT-26

DMC3071LVT-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道互补型
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.6A（Ta），3.3A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	50 毫欧 3.5A，10V，95 毫欧 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.5nC 10V，6.5nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	190pF 15V，254pF 15V
功率 - 最大值:	700mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装:	TSOT-23
温度:	-55°C # 150°C（TJ）