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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMN1150UFL3-7_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310

射频晶体管

+3000:

¥1.03111

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 150 毫欧 1A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 115pF 6V

功率 - 最大值: 390mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-XFDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: X2-DFN1310-6(B 类)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DMN1150UFL3-7_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-XFDFN Exposed Pad

供应商器件封装: X2-DFN1310-6 (Type B)

DMN1150UFL3-7_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-XFDFN Exposed Pad

供应商器件封装: X2-DFN1310-6 (Type B)

DMN1150UFL3-7参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 150 毫欧 1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.4nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 115pF 6V
功率 - 最大值: 390mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-XFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: X2-DFN1310-6(B 类)
温度: -55°C # 150°C(TJ)