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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC21D1UDA-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V X2DFN0806-6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.324774 +10：￥0.299792 +30：￥0.294798 +100：￥0.279804	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 455mA (Ta)，328mA (Ta) 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V，1.9 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.41nC 4.5V，0.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 31pF 15V，28.5pF 15V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-SMD，无引线供应商器件封装： X2-DFN0806-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMC21D1UDA-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V X2DFN0806-6 下载数据手册射频晶体管	+20：￥0.802835 +100：￥0.600523 +1000：￥0.465487 +10000：￥0.337348 +50000：￥0.303589	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 455mA (Ta)，328mA (Ta) 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V，1.9 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.41nC 4.5V，0.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 31pF 15V，28.5pF 15V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-SMD，无引线供应商器件封装： X2-DFN0806-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC21D1UDA-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V X2DFN0806-6 下载数据手册射频晶体管	+5：￥0.877734 +50：￥0.731445 +150：￥0.585156 +500：￥0.48763	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 455mA (Ta)，328mA (Ta) 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V，1.9 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.41nC 4.5V，0.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 31pF 15V，28.5pF 15V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-SMD，无引线供应商器件封装： X2-DFN0806-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMC21D1UDA-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V X2DFN0806-6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.503057 +150：￥0.356116 +1000：￥0.321326 +5000：￥0.299609 +10000：￥0.283294	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 455mA (Ta)，328mA (Ta) 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V，1.9 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.41nC 4.5V，0.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 31pF 15V，28.5pF 15V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-SMD，无引线供应商器件封装： X2-DFN0806-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC21D1UDA-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V X2DFN0806-6 下载数据手册射频晶体管	+10000：￥0.647548	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 455mA (Ta)，328mA (Ta) 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V，1.9 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.41nC 4.5V，0.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 31pF 15V，28.5pF 15V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-SMD，无引线供应商器件封装： X2-DFN0806-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC21D1UDA-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V X2DFN0806-6 下载数据手册射频晶体管	+10000：￥1.584073	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 455mA (Ta)，328mA (Ta) 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V，1.9 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.41nC 4.5V，0.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 31pF 15V，28.5pF 15V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-SMD，无引线供应商器件封装： X2-DFN0806-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC21D1UDA-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V X2DFN0806-6 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-SMD, No Lead 供应商器件封装： X2-DFN0806-6
	DMC21D1UDA-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V X2DFN0806-6 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-SMD, No Lead 供应商器件封装： X2-DFN0806-6
	DMC21D1UDA-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 0.455A 6DFN 下载数据手册未分类	+10000：￥1.44465 +20000：￥1.343528 +30000：￥1.34062	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 6-SMD, No Lead Mounting Type： Surface Mount Configuration： N and P-Channel Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) Power - Max： 300mW Drain to Source Voltage (Vdss)： 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 455mA (Ta), 328mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 31pF @ 15V, 28.5pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 0.41nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V FET Feature： - Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA Supplier Device Package： X2-DFN0806-6
	DMC21D1UDA-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 0.455A 6DFN 下载数据手册未分类	+1：￥8.261264 +10：￥5.063848 +100：￥3.223424 +500：￥2.427589 +1000：￥2.170572	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 6-SMD, No Lead Mounting Type： Surface Mount Configuration： N and P-Channel Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) Power - Max： 300mW Drain to Source Voltage (Vdss)： 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 455mA (Ta), 328mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 31pF @ 15V, 28.5pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 0.41nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V FET Feature： - Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA Supplier Device Package： X2-DFN0806-6

DMC21D1UDA-7B参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	455mA (Ta)，328mA (Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	990 毫欧 100mA，4.5V，1.9 欧姆 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.41nC 4.5V，0.4nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	31pF 15V，28.5pF 15V
功率 - 最大值:	300mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-SMD，无引线
供应商器件封装:	X2-DFN0806-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）