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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMN61D8LVT-13_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

射频晶体管

+10000:

¥1.983031

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 630mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.8Ohm 150mA, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.74nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 12.9pF 12V

功率 - 最大值: 820mW

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装: TSOT-23

温度: -55°C # 150°C (TJ)

DMN61D8LVT-13_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

射频晶体管

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¥5.723688

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¥3.965496

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装: TSOT-26

DMN61D8LVT-13_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

射频晶体管

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系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装: TSOT-26

Mouser
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DMN61D8LVT-13_晶体管
DMN61D8LVT-13
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

晶体管

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品牌: Diodes Incorporated

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 630mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.8Ohm 150mA, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.74nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 12.9pF 12V

功率 - 最大值: 820mW

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装: TSOT-23

温度: -55°C # 150°C (TJ)

DMN61D8LVT-13参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: 2 N-Channel (Dual)
FET 功能: Logic Level Gate
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 630mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.8Ohm 150mA, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.74nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 12.9pF 12V
功率 - 最大值: 820mW
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装: TSOT-23
温度: -55°C # 150°C (TJ)