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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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![]() | DMN61D8LVT-13 授权代理品牌 | +: ¥ +: ¥ +: ¥ +: ¥ +: ¥ |
DMN61D8LVT-13参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Diodes Incorporated |
包装: | Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | Active |
FET 类型: | 2 N-Channel (Dual) |
FET 功能: | Logic Level Gate |
漏源电压(Vdss): | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 630mA |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 1.8Ohm 150mA, 5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2V 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 0.74nC 5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 12.9pF 12V |
功率 - 最大值: | 820mW |
工作温度: | -55°C # 150°C (TJ) |
安装类型: | Surface Mount |
封装/外壳: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
供应商器件封装: | TSOT-23 |
温度: | -55°C # 150°C (TJ) |