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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC4028SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥8.481472 +100：￥6.608576 +500：￥5.459167 +1000：￥4.309883 +2500：￥4.022622	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A，4.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 604pF 20V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC4028SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥2.477487 +5000：￥2.353627 +12500：￥2.265146 +25000：￥2.241537	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A，4.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 604pF 20V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC4028SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥4.28109 +5000：￥4.067059 +12500：￥3.914164 +25000：￥3.873367	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A，4.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 604pF 20V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC4028SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥10.054391 +10：￥9.025837 +100：￥7.033451 +500：￥5.810052 +1000：￥4.586882	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	DMC4028SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥10.054391 +10：￥9.025837 +100：￥7.033451 +500：￥5.810052 +1000：￥4.586882	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC4028SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥11.792988 +10：￥10.560687 +100：￥8.228591 +500：￥6.797531 +1000：￥5.366472	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A，4.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 604pF 20V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMC4028SSD-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.5A，4.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	28 毫欧 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12.9nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	604pF 20V
功率 - 最大值:	1.8W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）