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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMP3056LSDQ-13_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFETDUAL P-CHAN 30V SO-8

射频晶体管

+2500:

¥2.470215

+5000:

¥2.340203

+12500:

¥2.16683

+25000:

¥2.145404

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.9A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45 毫欧 6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13.7nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 722pF 25V

功率 - 最大值: 2.5W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMP3056LSDQ-13_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFETDUAL P-CHAN 30V SO-8

射频晶体管

+2500:

¥4.268522

+5000:

¥4.043863

+12500:

¥3.744276

+25000:

¥3.707251

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.9A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45 毫欧 6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13.7nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 722pF 25V

功率 - 最大值: 2.5W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DMP3056LSDQ-13_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFETDUAL P-CHAN 30V SO-8

射频晶体管

+1:

¥11.170196

+10:

¥9.739408

+100:

¥6.73977

+500:

¥5.631286

+1000:

¥4.792643

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

DMP3056LSDQ-13_射频晶体管
授权代理品牌

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射频晶体管

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¥11.170196

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¥9.739408

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¥6.73977

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¥5.631286

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¥4.792643

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

Mouser
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DMP3056LSDQ-13_晶体管
DMP3056LSDQ-13
授权代理品牌

MOSFETDUAL P-CHAN 30V SO-8

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.9A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45 毫欧 6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13.7nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 722pF 25V

功率 - 最大值: 2.5W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DMP3056LSDQ-13参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.9A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45 毫欧 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13.7nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 722pF 25V
功率 - 最大值: 2.5W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SO
温度: -55°C # 150°C(TJ)