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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN4027SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 604pF 20V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMN4027SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+723：￥0.662962 +1000：￥0.631376	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 604pF 20V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN4027SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+723：￥1.145597 +1000：￥1.091017	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 604pF 20V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN4027SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+723：￥1.145597 +1000：￥1.091017	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	DMN4027SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+723：￥1.145597 +1000：￥1.091017	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN4027SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO 下载数据手册未分类	+1：￥13.085761 +10：￥11.556793 +100：￥8.856994 +500：￥7.011213 +1000：￥5.606215	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 604pF 20V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN4027SSD-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	27 毫欧 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12.9nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	604pF 20V
功率 - 最大值:	1.8W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）