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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2011UFX-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.522188 +10：￥3.044783 +30：￥2.800776 +100：￥2.620423 +500：￥2.44007	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Standard 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.2A (Ta) 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5mOhm 10A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2248pF 10V 功率 - 最大值： 2.1W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 4-VFDFN Exposed Pad 供应商器件封装： V-DFN2050-4 温度： -55°C # 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2011UFX-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.2143	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Standard 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.2A (Ta) 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5mOhm 10A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2248pF 10V 功率 - 最大值： 2.1W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 4-VFDFN Exposed Pad 供应商器件封装： V-DFN2050-4 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2011UFX-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥4.321892 +6000：￥4.064516	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Standard 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.2A (Ta) 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5mOhm 10A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2248pF 10V 功率 - 最大值： 2.1W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 4-VFDFN Exposed Pad 供应商器件封装： V-DFN2050-4 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	DMN2011UFX-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4 下载数据手册射频晶体管	+1：￥11.120428 +10：￥9.8354 +100：￥7.540884 +500：￥5.96129 +1000：￥4.769057	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 4-VFDFN Exposed Pad 供应商器件封装： V-DFN2050-4
	DMN2011UFX-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 4-VFDFN Exposed Pad 供应商器件封装： V-DFN2050-4

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2011UFX-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4 下载数据手册未分类	+1：￥13.14957 +10：￥11.406855 +100：￥7.889743 +500：￥6.590628 +1000：￥5.608372	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Standard 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.2A (Ta) 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5mOhm 10A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2248pF 10V 功率 - 最大值： 2.1W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 4-VFDFN Exposed Pad 供应商器件封装： V-DFN2050-4 温度： -55°C # 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2011UFX-7 DIODES(美台) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+3000：￥2.502559 +6000：￥2.455342 +9000：￥2.408124 +12000：￥2.408124 +15000：￥2.313687	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMN2011UFX-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	2 N-Channel (Dual)
FET 功能:	Standard
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12.2A (Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	9.5mOhm 10A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	56nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2248pF 10V
功率 - 最大值:	2.1W
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	4-VFDFN Exposed Pad
供应商器件封装:	V-DFN2050-4
温度:	-55°C # 150°C (TJ)