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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
DMN2400UFDQ-7_晶体管-FET，MOSFET-单个
DMN2400UFDQ-7
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌
+10：

￥2.768544

+100：

￥2.255328

+200：

￥1.808784

+500：

￥1.615104

+800：

￥1.499184

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 最后售卖

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 200mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 37 pF 16 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： U-DFN1212-3（C 类）

封装/外壳： 3-PowerUDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
DMN2400UFDQ-7_晶体管-FET，MOSFET-单个
DMN2400UFDQ-7
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌
+3000：

￥0

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 最后售卖

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 200mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 37 pF 16 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： U-DFN1212-3（C 类）

封装/外壳： 3-PowerUDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN2400UFDQ-7_未分类
DMN2400UFDQ-7
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN

未分类
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 3-PowerUDFN

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 900mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 600mOhm @ 200mA, 4.5V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 400mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA

Supplier Device Package： U-DFN1212-3 (Type C)

Part Status： Obsolete

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 1.5V, 4.5V

Vgs (Max)： ±12V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 0.5 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 37 pF @ 16 V

DMN2400UFDQ-7_未分类
DMN2400UFDQ-7
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN

未分类
+1：

￥5.680354

+10：

￥4.283934

+100：

￥2.67095

+500：

￥1.827655

+1000：

￥1.405888

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： 3-PowerUDFN

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 900mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 600mOhm @ 200mA, 4.5V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 400mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA

Supplier Device Package： U-DFN1212-3 (Type C)

Part Status： Obsolete

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 1.5V, 4.5V

Vgs (Max)： ±12V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 0.5 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 37 pF @ 16 V

DMN2400UFDQ-7_未分类
DMN2400UFDQ-7
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN

未分类
+1：

￥5.680354

+10：

￥4.283934

+100：

￥2.67095

+500：

￥1.827655

+1000：

￥1.405888

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： 3-PowerUDFN

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 900mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 600mOhm @ 200mA, 4.5V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 400mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA

Supplier Device Package： U-DFN1212-3 (Type C)

Part Status： Obsolete

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 1.5V, 4.5V

Vgs (Max)： ±12V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 0.5 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 37 pF @ 16 V

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
DMN2400UFDQ-7_未分类
DMN2400UFDQ-7
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

未分类
+1：

￥7.300478

+10：

￥5.496019

+100：

￥3.429847

+500：

￥2.341663

+1000：

￥1.804457

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 最后售卖

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 200mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 37 pF 16 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： U-DFN1212-3（C 类）

封装/外壳： 3-PowerUDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN2400UFDQ-7参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 最后售卖
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 900mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 600 毫欧 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 0.5 nC 4.5 V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 37 pF 16 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 400mW（Ta）
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: U-DFN1212-3（C 类）
封装/外壳: 3-PowerUDFN
温度: -55°C # 150°C（TJ）