DMG301NU-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 DMG301NU-7 共 17 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG301NU-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.88632 +100：￥0.733968 +300：￥0.523008 +800：￥0.425808 +3000：￥0.324864	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.36 nC 4.5 V Vgs（最大值）： 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 42 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG301NU-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 下载数据手册未分类	+10：￥0.503026 +100：￥0.417927 +300：￥0.375377	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.36 nC 4.5 V Vgs（最大值）： 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 42 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG301NU-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.569184	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.36 nC 4.5 V Vgs（最大值）： 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 42 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMG301NU-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 下载数据手册未分类	+10：￥1.364706 +100：￥1.273747 +300：￥1.12387 +1000：￥1.005612 +5000：￥0.955337	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.36 nC 4.5 V Vgs（最大值）： 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 42 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG301NU-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 下载数据手册未分类	+3000：￥1.180469	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.36 nC 4.5 V Vgs（最大值）： 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 42 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG301NU-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.187304 +9000：￥0.182674 +30000：￥0.179432	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.36 nC 4.5 V Vgs（最大值）： 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 42 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG301NU-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.40621 +200：￥0.262318 +1500：￥0.227936 +3000：￥0.201196 +45000：￥0.199922	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.36 nC 4.5 V Vgs（最大值）： 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 42 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG301NU-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.36 nC 4.5 V Vgs（最大值）： 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 42 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG301NU-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.219797 +100：￥0.171737 +300：￥0.162909 +1000：￥0.154082 +5000：￥0.150159	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.36 nC 4.5 V Vgs（最大值）： 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 42 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG301NU-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.379808 +100：￥0.29676 +300：￥0.281507 +1000：￥0.266254 +5000：￥0.259475	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.36 nC 4.5 V Vgs（最大值）： 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 42 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMG301NU-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	260mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4 欧姆 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.36 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	42 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	320mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMG301NU-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 下载数据手册未分类	+10：￥1.364706 +100：￥1.273747 +300：￥1.12387 +1000：￥1.005612 +5000：￥0.955337	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.36 nC 4.5 V Vgs（最大值）： 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 42 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG301NU-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 下载数据手册未分类	+3000：￥1.180469	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.36 nC 4.5 V Vgs（最大值）： 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 42 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG301NU-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.187304 +9000：￥0.182674 +30000：￥0.179432	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.36 nC 4.5 V Vgs（最大值）： 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 42 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG301NU-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.40621 +200：￥0.262318 +1500：￥0.227936 +3000：￥0.201196 +45000：￥0.199922	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.36 nC 4.5 V Vgs（最大值）： 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 42 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）