DMP2035UVTQ-13厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2035UVTQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2400 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2035UVTQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.890699	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2400 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP2035UVTQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥1.539125	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2400 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP2035UVTQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26 下载数据手册未分类	+10000：￥1.441854 +30000：￥1.420556 +50000：￥1.335116	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 7.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 35mOhm @ 4A, 4.5V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 250µA Supplier Device Package： TSOT-23-6 Grade： Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 1.8V, 4.5V Vgs (Max)： ±12V Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 23.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2400 pF @ 10 V Qualification： AEC-Q101
DMP2035UVTQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26 下载数据手册未分类	+1：￥6.191405 +10：￥4.80453 +100：￥2.883956 +500：￥2.67023 +1000：￥1.815691	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 7.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 35mOhm @ 4A, 4.5V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 250µA Supplier Device Package： TSOT-23-6 Grade： Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 1.8V, 4.5V Vgs (Max)： ±12V Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 23.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2400 pF @ 10 V Qualification： AEC-Q101
DMP2035UVTQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26 下载数据手册未分类	+1：￥6.191405 +10：￥4.80453 +100：￥2.883956 +500：￥2.67023 +1000：￥1.815691	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 7.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 35mOhm @ 4A, 4.5V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 250µA Supplier Device Package： TSOT-23-6 Grade： Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 1.8V, 4.5V Vgs (Max)： ±12V Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 23.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2400 pF @ 10 V Qualification： AEC-Q101

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2035UVTQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26 下载数据手册未分类	+1：￥7.924158 +10：￥6.228388 +100：￥3.48663 +1000：￥2.171221 +2500：￥2.091978	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2400 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMP2035UVTQ-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	35 毫欧 4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	23.1 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2400 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSOT-23-6
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）