DMP2160UWQ-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 DMP2160UWQ-7 共 5 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2160UWQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥3.993696 +100：￥3.253248 +200：￥2.609136 +500：￥2.329632 +800：￥2.162448	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 627 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2160UWQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.791058	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 627 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2160UWQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.366946	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 627 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2160UWQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 下载数据手册晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 627 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2160UWQ-7 授权代理品牌	P-Channel Enhancement Mode MOSFET 下载数据手册未分类	+3000：￥1.785103	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMP2160UWQ-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	100 毫欧 1.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	900mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	627 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	350mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-323
封装/外壳:	SC-70，SOT-323
温度:	-55°C # 150°C（TJ）