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	DMT3020LFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.666235 +10：￥2.46114 +30：￥2.420121 +100：￥2.297064	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 393pF 15V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMT3020LFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020 下载数据手册	+1：￥1.868563 +10：￥1.617236 +30：￥1.518891 +100：￥1.387763 +500：￥1.3222	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 393pF 15V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMT3020LFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.802416	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 393pF 15V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMT3020LFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.391813 +100：￥1.367039 +200：￥1.342151 +500：￥1.317262	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 393pF 15V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMT3020LFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020 下载数据手册射频晶体管	+10：￥1.391813 +100：￥1.367039 +500：￥1.342151 +1000：￥1.317262	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 393pF 15V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMT3020LFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.28793 +100：￥1.837845 +750：￥1.637808 +1500：￥1.537789 +3000：￥1.475277	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 393pF 15V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMT3020LFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 393pF 15V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMT3020LFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.571066 +6000：￥1.491186 +9000：￥1.384704 +30000：￥1.352694	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 393pF 15V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	DMT3020LFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥2.714797 +6000：￥2.576765 +9000：￥2.392764 +30000：￥2.33745	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 393pF 15V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMT3020LFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020 下载数据手册射频晶体管	+1：￥8.082382 +10：￥6.882654 +100：￥4.785023 +500：￥3.736333 +1000：￥3.036955	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type B)

DMT3020LFDB-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	20 毫欧 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	393pF 15V
功率 - 最大值:	700mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:	U-DFN2020-6（B 类）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）