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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2035UTS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP 下载数据手册射频晶体管	+10：￥4.339296 +100：￥3.534768 +200：￥2.834928 +500：￥2.531232 +800：￥2.349648	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 P 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.04A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610pF 10V 功率 - 最大值： 890mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）供应商器件封装： 8-TSSOP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2035UTS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP 下载数据手册	+1：￥3.332817 +10：￥2.775527 +30：￥2.535127 +100：￥2.24009 +500：￥2.010618	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 P 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.04A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610pF 10V 功率 - 最大值： 890mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）供应商器件封装： 8-TSSOP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2035UTS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.279364 +100：￥1.757275 +1250：￥1.528065 +2500：￥1.438928 +37500：￥1.426194	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 P 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.04A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610pF 10V 功率 - 最大值： 890mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）供应商器件封装： 8-TSSOP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2035UTS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.278707 +100：￥2.527718	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 P 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.04A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610pF 10V 功率 - 最大值： 890mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）供应商器件封装： 8-TSSOP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2035UTS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥1.457205 +5000：￥1.383109 +12500：￥1.284289 +25000：￥1.254694	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 P 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.04A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610pF 10V 功率 - 最大值： 890mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）供应商器件封装： 8-TSSOP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2035UTS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥2.518045 +5000：￥2.390006 +12500：￥2.219249 +25000：￥2.168106	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 P 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.04A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610pF 10V 功率 - 最大值： 890mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）供应商器件封装： 8-TSSOP 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP2035UTS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.429686 +10：￥6.389531 +100：￥4.438 +500：￥3.465455 +1000：￥2.816842	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-TSSOP (0.173#, 4.40mm Width) 供应商器件封装： 8-TSSOP
	DMP2035UTS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.429686 +10：￥6.389531 +100：￥4.438 +500：￥3.465455 +1000：￥2.816842	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-TSSOP (0.173#, 4.40mm Width) 供应商器件封装： 8-TSSOP

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2035UTS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP 下载数据手册未分类	+1：￥9.347285 +10：￥8.174914 +100：￥5.687586 +500：￥4.435999 +1000：￥3.612172	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 P 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.04A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610pF 10V 功率 - 最大值： 890mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）供应商器件封装： 8-TSSOP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2035UTS-13 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 20V 6.04A 8-Pin TSSOP T/R 下载数据手册未分类	+1：￥7.980362 +10：￥6.890623 +25：￥6.548643 +100：￥5.104165 +250：￥5.050572	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMP2035UTS-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 P 沟道（双）共漏
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.04A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	35 毫欧 4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	15.4nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1610pF 10V
功率 - 最大值:	890mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
供应商器件封装:	8-TSSOP
温度:	-55°C # 150°C（TJ）