搜索 DMN62D0LFD-13 共 4 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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DMN62D0LFD-13 授权代理品牌 | MOSFET N-CH SOT23 | +20: ¥0.915264 +100: ¥0.778032 +300: ¥0.640656 +1000: ¥0.52632 +10000: ¥0.457632 |
Mouser
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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DMN62D0LFD-13 授权代理品牌 | +: ¥ +: ¥ +: ¥ +: ¥ +: ¥ |
DMN62D0LFD-13参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Diodes Incorporated |
包装: | 卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 310mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 1.8V,4V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 2 欧姆 100mA,4V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 500 pF 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 31 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 480mW(Ta) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | X1-DFN1212-3 |
封装/外壳: | 3-UDFN |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |