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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2300UFD-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+246：￥0.315765 +300：￥0.302603 +500：￥0.28944 +1000：￥0.263115	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.21A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 900mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 67.62 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1212-3 封装/外壳： 3-UDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN2300UFD-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+246：￥0.772444 +300：￥0.740246 +500：￥0.708047 +1000：￥0.643649	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.21A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 900mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 67.62 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1212-3 封装/外壳： 3-UDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN2300UFD-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+246：￥0.772444 +300：￥0.740246 +500：￥0.708047 +1000：￥0.643649	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-UDFN 供应商器件封装： X1-DFN1212-3
DMN2300UFD-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+246：￥0.772444 +300：￥0.740246 +500：￥0.708047 +1000：￥0.643649	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-UDFN 供应商器件封装： X1-DFN1212-3

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2300UFD-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.21A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 900mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 67.62 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1212-3 封装/外壳： 3-UDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2300UFD-7 DIODES(美台) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+3000：￥0.649658 +9000：￥0.624927 +15000：￥0.613514 +30000：￥0.598294 +60000：￥0.575466	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMN2300UFD-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.21A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	200 毫欧 900mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	950mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	67.62 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	470mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	X1-DFN1212-3
封装/外壳:	3-UDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）