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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN6070SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+10：￥4.166496 +100：￥3.393936 +200：￥2.722032 +500：￥2.430432 +800：￥2.255904	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 588pF 30V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN6070SSD-13 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	DMN6070SSD-13 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.543186 +4000：￥2.436917 +12000：￥2.330646 +16000：￥2.225418	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	DMN6070SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO 下载数据手册未分类	+10：￥1.687544 +100：￥1.514163 +625：￥1.470105 +1250：￥1.441332 +2500：￥1.41298	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 588pF 30V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN6070SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO 下载数据手册未分类	+640：￥4.215274 +1260：￥4.087536	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 588pF 30V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN6070SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥2.256558 +5000：￥2.236879 +7500：￥2.217315	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 588pF 30V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN6070SSD-13 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	DMN6070SSD-13 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+20：￥1.836572 +4000：￥1.624611 +12000：￥1.596365 +20000：￥1.553996 +24000：￥1.483497	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	DMN6070SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.243014 +50：￥1.693606 +1250：￥1.526791 +2500：￥1.375259 +15000：￥1.362756	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 588pF 30V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN6070SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+100：￥3.8793 +500：￥3.105501 +1000：￥2.404959 +2500：￥2.195865	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 588pF 30V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN6070SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥1.522971	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 588pF 30V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN6070SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥1.353592 +5000：￥1.284726 +12500：￥1.193001 +25000：￥1.165455 +62500：￥1.135745	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 588pF 30V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN6070SSD-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	80 毫欧 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12.3nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	588pF 30V
功率 - 最大值:	1.2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）