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自营 国内现货
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DMC1030UFDBQ-7_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020

射频晶体管

+3000:

¥1.684869

+6000:

¥1.576182

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道互补型

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.1A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 34 毫欧 4.6A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 23.1nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1003pF 6V

功率 - 最大值: 1.36W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: U-DFN2020-6(B 类)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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DMC1030UFDBQ-7_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020

射频晶体管

+3000:

¥2.91145

+6000:

¥2.723638

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道互补型

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.1A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 34 毫欧 4.6A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 23.1nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1003pF 6V

功率 - 最大值: 1.36W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: U-DFN2020-6(B 类)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DMC1030UFDBQ-7_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020

射频晶体管

+1:

¥8.278535

+10:

¥7.042932

+100:

¥5.259958

+500:

¥4.132349

+1000:

¥3.193166

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-UDFN Exposed Pad

供应商器件封装: U-DFN2020-6 (Type B)

DMC1030UFDBQ-7_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-UDFN Exposed Pad

供应商器件封装: U-DFN2020-6 (Type B)

Mouser
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DMC1030UFDBQ-7_未分类
DMC1030UFDBQ-7
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020

未分类

+1:

¥8.079856

+10:

¥6.8758

+100:

¥5.038029

+500:

¥4.134985

+1000:

¥3.136887

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道互补型

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.1A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 34 毫欧 4.6A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 23.1nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1003pF 6V

功率 - 最大值: 1.36W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: U-DFN2020-6(B 类)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
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DMC1030UFDBQ-7_未分类
DMC1030UFDBQ-7
授权代理品牌

Trans MOSFET N/P-CH 12V 5.1A/3.9A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R

未分类

+1:

¥7.864242

+10:

¥7.791508

+25:

¥6.682628

+100:

¥5.984633

+250:

¥5.925936

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

DMC1030UFDBQ-7参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道互补型
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 34 毫欧 4.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 23.1nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1003pF 6V
功率 - 最大值: 1.36W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: U-DFN2020-6(B 类)
温度: -55°C # 150°C(TJ)