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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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DMC1030UFDBQ-7 授权代理品牌 | MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020 | +1: ¥8.079856 +10: ¥6.8758 +100: ¥5.038029 +500: ¥4.134985 +1000: ¥3.136887 |
艾睿
DMC1030UFDBQ-7参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Diodes Incorporated |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | Automotive, AEC-Q101 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 和 P 沟道互补型 |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 12V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5.1A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 34 毫欧 4.6A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 23.1nC 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1003pF 6V |
功率 - 最大值: | 1.36W |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 6-UDFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装: | U-DFN2020-6(B 类) |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |