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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2990UFO-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.71176	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.41 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 31 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 840mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN0604-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN2990UFO-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥1.229918	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.41 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 31 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 840mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN0604-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN2990UFO-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN 下载数据手册未分类	+10000：￥1.382394	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 3-XFDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 750mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 990mOhm @ 100mA, 4.5V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 840mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA Supplier Device Package： X2-DFN0604-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 1.5V, 4.5V Vgs (Max)： ±8V Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 0.41 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 31 pF @ 15 V
DMN2990UFO-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN 下载数据手册未分类	+1：￥5.563667 +10：￥4.486446 +100：￥3.050546 +500：￥2.28797 +1000：￥1.715978	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 3-XFDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 750mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 990mOhm @ 100mA, 4.5V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 840mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA Supplier Device Package： X2-DFN0604-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 1.5V, 4.5V Vgs (Max)： ±8V Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 0.41 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 31 pF @ 15 V
DMN2990UFO-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN 下载数据手册未分类	+1：￥5.563667 +10：￥4.486446 +100：￥3.050546 +500：￥2.28797 +1000：￥1.715978	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 3-XFDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 750mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 990mOhm @ 100mA, 4.5V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 840mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA Supplier Device Package： X2-DFN0604-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 1.5V, 4.5V Vgs (Max)： ±8V Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 0.41 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 31 pF @ 15 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2990UFO-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604 下载数据手册未分类	+10000：￥1.578235 +20000：￥1.455786 +50000：￥1.401364	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.41 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 31 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 840mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN0604-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN2990UFO-7B参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	750mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	990 毫欧 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.41 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	31 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	840mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	X2-DFN0604-3
封装/外壳:	3-XFDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）