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DMP58D0SV-7_射频晶体管
DMP58D0SV-7
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT-563

射频晶体管

+10:

¥4.108896

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¥3.346992

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¥2.684448

+500:

¥2.396592

+800:

¥2.224656

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 欧姆 100mA,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 27pF 25V

功率 - 最大值: 400mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
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DMP58D0SV-7_射频晶体管
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MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT-563

射频晶体管

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¥1.173151

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¥0.70459

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 欧姆 100mA,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 27pF 25V

功率 - 最大值: 400mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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DMP58D0SV-7_射频晶体管
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MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT-563

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 欧姆 100mA,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 27pF 25V

功率 - 最大值: 400mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

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自营 国内现货
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DMP58D0SV-7_射频晶体管
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射频晶体管

库存: 1000 +

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品牌: Diodes Incorporated

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系列:

零件状态: 停产

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漏源电压(Vdss): 50V

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不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 欧姆 100mA,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 27pF 25V

功率 - 最大值: 400mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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DMP58D0SV-7_射频晶体管
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MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT-563

射频晶体管

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货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

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封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 欧姆 100mA,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 27pF 25V

功率 - 最大值: 400mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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射频晶体管

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货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

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射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

Mouser
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DMP58D0SV-7_未分类
DMP58D0SV-7
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT-563

未分类

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¥7.346955

+10:

¥6.000014

+100:

¥4.095247

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¥3.061231

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¥2.299326

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 欧姆 100mA,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 27pF 25V

功率 - 最大值: 400mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DMP58D0SV-7参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 欧姆 100mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 27pF 25V
功率 - 最大值: 400mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: SOT-563
温度: -55°C # 150°C(TJ)