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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN62D1LFDQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.664864 +100：￥2.1708 +200：￥1.74096 +500：￥1.554624 +800：￥1.443024	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.55 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN1212-3（C 类）封装/外壳： 3-PowerUDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN62D1LFDQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3 下载数据手册未分类	+1：￥2.552207 +10：￥2.05857 +30：￥1.859015 +100：￥1.596442 +500：￥1.48091	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.55 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN1212-3（C 类）封装/外壳： 3-PowerUDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN62D1LFDQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3 下载数据手册未分类	+3000：￥0.828315 +6000：￥0.806639 +9000：￥0.792228 +12000：￥0.716144 +18000：￥0.6776	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.55 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN1212-3（C 类）封装/外壳： 3-PowerUDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN62D1LFDQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.72245	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.55 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN1212-3（C 类）封装/外壳： 3-PowerUDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN62D1LFDQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.24839	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.55 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN1212-3（C 类）封装/外壳： 3-PowerUDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN62D1LFDQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3 下载数据手册未分类	+1：￥6.633725 +10：￥4.975294 +100：￥3.091316 +500：￥2.122792 +1000：￥1.631897	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.55 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN1212-3（C 类）封装/外壳： 3-PowerUDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN62D1LFDQ-7 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A Automotive 下载数据手册未分类	+3000：￥1.331213 +9000：￥1.186201 +24000：￥1.099194 +45000：￥1.086142	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMN62D1LFDQ-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	400mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2 欧姆 100mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.55 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	36 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	U-DFN1212-3（C 类）
封装/外壳:	3-PowerUDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）