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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2065UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2 P-CH 20V 4.5A DFN2020-6 下载数据手册射频晶体管	+10：￥5.349312 +100：￥3.819168 +200：￥2.920752 +500：￥2.47968 +800：￥2.230704	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 752pF 15V 功率 - 最大值： 1.54W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2065UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2 P-CH 20V 4.5A DFN2020-6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.239745 +10：￥1.812277 +30：￥1.629107 +100：￥1.400563 +500：￥1.29879	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 752pF 15V 功率 - 最大值： 1.54W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2065UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2 P-CH 20V 4.5A DFN2020-6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.246531 +200：￥0.957703 +1500：￥0.833953 +3000：￥0.725136	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 752pF 15V 功率 - 最大值： 1.54W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP2065UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2 P-CH 20V 4.5A DFN2020-6 下载数据手册射频晶体管	+100：￥0.795404 +200：￥0.775378 +300：￥0.761949	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 752pF 15V 功率 - 最大值： 1.54W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP2065UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2 P-CH 20V 4.5A DFN2020-6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.78487 +6000：￥0.771789 +9000：￥0.758708 +12000：￥0.745626	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 752pF 15V 功率 - 最大值： 1.54W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2065UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2 P-CH 20V 4.5A DFN2020-6 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 752pF 15V 功率 - 最大值： 1.54W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2065UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2 P-CH 20V 4.5A DFN2020-6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.208835 +6000：￥1.147308 +9000：￥1.065368 +30000：￥1.040815	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 752pF 15V 功率 - 最大值： 1.54W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	DMP2065UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2 P-CH 20V 4.5A DFN2020-6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥2.088864 +6000：￥1.982544 +9000：￥1.840952 +30000：￥1.798524	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 752pF 15V 功率 - 最大值： 1.54W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP2065UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2 P-CH 20V 4.5A DFN2020-6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.150731 +10：￥5.29716 +100：￥3.681652 +500：￥2.874778 +1000：￥2.336651	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type B)
	DMP2065UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2 P-CH 20V 4.5A DFN2020-6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.150731 +10：￥5.29716 +100：￥3.681652 +500：￥2.874778 +1000：￥2.336651	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type B)

DMP2065UFDB-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.5A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	50 毫欧 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9.1nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	752pF 15V
功率 - 最大值:	1.54W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:	U-DFN2020-6（B 类）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）