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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN601VKQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563 下载数据手册射频晶体管	+10：￥1.344096 +100：￥1.094832 +200：￥0.878112 +500：￥0.783936 +800：￥0.727632	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 305mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 25V 功率 - 最大值： 250mW 工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -65°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN601VKQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563 下载数据手册射频晶体管	+5：￥0.846449 +50：￥0.693467 +150：￥0.616976	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 305mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 25V 功率 - 最大值： 250mW 工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -65°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN601VKQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.111886 +6000：￥1.05002	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 305mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 25V 功率 - 最大值： 250mW 工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -65°C # 150°C（TJ）
	DMN601VKQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.983308 +10：￥3.767867 +100：￥2.347016 +500：￥1.606085 +1000：￥1.235375	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -65°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： SOT-563
	DMN601VKQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.983308 +10：￥3.767867 +100：￥2.347016 +500：￥1.606085 +1000：￥1.235375	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -65°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： SOT-563

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN601VKQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563 下载数据手册未分类	+1：￥5.647539 +10：￥4.283865 +100：￥2.67225 +500：￥1.832007 +1000：￥1.404997	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 305mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 25V 功率 - 最大值： 250mW 工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -65°C # 150°C（TJ）

DMN601VKQ-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	305mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	50pF 25V
功率 - 最大值:	250mW
工作温度:	-65°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装:	SOT-563
温度:	-65°C # 150°C（TJ）