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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3025LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.421992 +10：￥1.312608 +30：￥1.290731 +100：￥1.225101	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A，4.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 7.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 501pF 15V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3025LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+5：￥1.090432 +50：￥0.945319 +150：￥0.883032 +500：￥0.805449	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A，4.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 7.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 501pF 15V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMC3025LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.940412 +50：￥0.870474	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A，4.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 7.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 501pF 15V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMC3025LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+40：￥2.28096 +100：￥1.75824 +1250：￥1.490227 +2500：￥1.262131	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A，4.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 7.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 501pF 15V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMC3025LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥1.127957 +5000：￥1.07063 +12500：￥0.99412 +25000：￥0.971188 +62500：￥0.946454	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A，4.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 7.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 501pF 15V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3025LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥1.949106 +5000：￥1.850044 +12500：￥1.717836 +25000：￥1.67821 +62500：￥1.635469	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A，4.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 7.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 501pF 15V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC3025LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.731931 +10：￥4.946905 +100：￥3.435421 +500：￥2.682545 +1000：￥2.180377	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	DMC3025LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.731931 +10：￥4.946905 +100：￥3.435421 +500：￥2.682545 +1000：￥2.180377	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3025LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO 下载数据手册晶体管	+1：￥7.287713 +10：￥6.289615 +100：￥4.372628 +500：￥3.422058 +1000：￥2.7725	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A，4.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 7.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 501pF 15V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMC3025LSD-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.5A，4.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	20 毫欧 7.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9.8nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	501pF 15V
功率 - 最大值:	1.2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）