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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3032LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP 下载数据手册射频晶体管	+10：￥3.601872 +100：￥2.934 +200：￥2.353248 +500：￥2.101104 +800：￥1.950192	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.1A，7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 404.5pF 15V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3032LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.448765 +10：￥1.218868 +30：￥1.120416 +100：￥1.021859 +500：￥0.956189	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.1A，7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 404.5pF 15V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3032LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥1.125926 +5000：￥1.068701 +12500：￥0.99233 +25000：￥0.96944 +62500：￥0.94475	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.1A，7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 404.5pF 15V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3032LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥1.945597 +5000：￥1.846712 +12500：￥1.714742 +25000：￥1.675189 +62500：￥1.632524	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.1A，7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 404.5pF 15V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC3032LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.721611 +10：￥4.937999 +100：￥3.429234 +500：￥2.677715 +1000：￥2.176452	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	DMC3032LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.721611 +10：￥4.937999 +100：￥3.429234 +500：￥2.677715 +1000：￥2.176452	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3032LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP 下载数据手册晶体管	+1：￥7.27456 +10：￥6.278262 +100：￥4.364736 +500：￥3.415881 +1000：￥2.767495	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.1A，7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 404.5pF 15V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMC3032LSD-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8.1A，7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	32 毫欧 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9.2nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	404.5pF 15V
功率 - 最大值:	2.5W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）