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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMP1070UCA3-7_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN0607-

晶体管-FET,MOSFET-单个

+3000:

¥1.187538

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 12 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 70mOhm 400mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 0.95V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.45 nC 4.5 V

Vgs(最大值): -6V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 147 pF 6 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 710mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: X4-DSN0607-3

封装/外壳: 3-XFDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMP1070UCA3-7_未分类
DMP1070UCA3-7
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN0607-

未分类

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¥6.095252

+10:

¥4.637692

+100:

¥2.88862

+500:

¥1.987582

+1000:

¥1.523813

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 12 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 70mOhm 400mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 0.95V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.45 nC 4.5 V

Vgs(最大值): -6V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 147 pF 6 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 710mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: X4-DSN0607-3

封装/外壳: 3-XFDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DMP1070UCA3-7参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 70mOhm 400mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 0.95V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.45 nC 4.5 V
Vgs(最大值): -6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 147 pF 6 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 710mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: X4-DSN0607-3
封装/外壳: 3-XFDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)